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数量:886 |
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包装 | 3TO-220AB |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 500 V |
最大连续漏极电流 | 3 A |
RDS -于 | 2500@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
典型上升时间 | 25 ns |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
工厂包装数量 | 50 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
Qg - Gate Charge | 10 nC |
封装/外壳 | TO-220-3 |
下降时间 | 25 ns |
安装风格 | Through Hole |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 1.5 S |
Id - Continuous Drain Current | 3 A |
长度 | 10.67 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 Ohms |
RoHS | RoHS Compliant |
系列 | FQP3N50C |
身高 | 16.3 mm |
封装 | Tube |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 62 W |
上升时间 | 25 ns |
技术 | Si |
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